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擴散硅壓力傳感器裝置
產(chǎn)品時間:2024-08-17
擴散硅壓力傳感器裝置是利用壓阻效應原理,采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴散,沿單晶硅片上的特點晶向,制成應變電阻,構(gòu)成惠斯凳電橋。利用硅材料的彈性力學特性,在同一切硅材料上進行各向異性微加工,就制成了一個集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體的擴散硅傳感器。

擴散硅壓力傳感器裝置產(chǎn)品特點

1、適合制作小量程的傳感器

硅芯片的這種力敏電阻的壓阻效應在零點附近的低量程段無死區(qū),制作壓力傳感器的量程可小到幾個Kpa。

2、輸出靈敏度高

硅應變電阻的靈敏因子比金屬應變計高50~100倍,故相應的傳感器的靈敏度就很高,一般量程輸出為100mv左右。因此對接口電路無特殊要求,使用比較方便。

3、精度高

由于傳感器的感受、敏感轉(zhuǎn)換和檢測三部分由同一個元件實現(xiàn),沒有中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié),重復性和遲滯誤差較小。由于單晶硅本身剛度很大,變形很小,保證了良好的線性。

4、由于工作單性形變低至微應變數(shù)量級,彈性芯片zui大位移在亞微米數(shù)量級,因而無磨損,無疲勞,無老化,壽命長達1×103壓力循環(huán),性能穩(wěn)定,可靠性高。

5、由于硅的優(yōu)良化學防腐性能,即使是非隔離型的擴散硅壓力傳感器,也有相當程度的適應各種介質(zhì)的能力。

6、由于芯片采用集成工藝,又無傳動部件,因此體積小,重量輕。

擴散硅壓力傳感器裝置是利用壓阻效應原理,采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴散,沿單晶硅片上的特點晶向,制成應變電阻,構(gòu)成惠斯凳電橋。利用硅材料的彈性力學特性,在同一切硅材料上進行各向異性微加工,就制成了一個集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體的擴散硅傳感器。

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